T/CASAS 042-2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法

文件格式： PDF文档
文件大小： 4.25 MB
语言版本： 简体中文
标准类别： 团体标准
关键词： 晶体管   氧化物   半导体   高温   金属
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标准简介

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适用范围：本文件明确了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法的方法验证与不确定度评定要求，适用于检测技术的质量控制。

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