T/CASAS 003-2018 p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片

文件格式： PDF文档
文件大小： 1.31 MB
语言版本： 简体中文
标准类别： 团体标准
关键词： 晶片   器件   沟道   碳化硅   外延
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标准简介

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适用范围：本标准对p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片的技术活动作出了具体规定，为团体标准的行业规范化建设提供技术参考。

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