[电子行业标准] SJ 20013-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
[电子行业标准] SJ 20012-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS4型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
[电子行业标准] SJ 20011-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS1型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范
[国家标准] GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号
[国家标准] GB/T 15651.3-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件 测试方法
[国家标准] GB/T 15651.2-2003 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分：光电子器件 基本额定值和特性
[国家标准] GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分：晶闸管 第3篇电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
[国家标准] GB/T 13150-2005 半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和半导体器件分立器件电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
[国家标准] GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分：信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范
[国家标准] GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范
[国家标准] GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分：分立器件和集成电路总规范
[国家标准] GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分：总则
[国家标准] GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
[国家标准] GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
[国家标准] GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分：信号(包括开关)和调整二极管
[国家标准] GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分：闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
[国家标准] GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分：整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范
[国家标准] GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
[国家标准] GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
[国家标准] GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分：光电子器件
[国家标准] GB/T 12560-1990 半导体器件 分立器件分规范 (可供认证用)
[国家标准] GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
[国家标准] GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管
[国家标准] GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
[国家标准] GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管微波场效应晶体管空白详细规范