模拟集成电路的分析与设计 第四版 影印版
出版时间：2003
丛编项： 国外优秀信息科学与技术系列教学用书
内容简介
　　集成电路有源器件模型，双极型、MOS、BiCMOS集成电路技术，单晶体管和多晶体管放大器，电流镜、有源负载及其电压和电流参考值，输出级，单端输出的运算放大器，集成电路的频率响应，反馈，反馈放大器的频率响应与稳定性，非线性模拟电路，集成电路中的噪声，全差分运算放大器。本书可用作高等学校电子信息类本科生的教材或参考书。
目录
CHAPTER 1
Models for Integrated-Circuit Active
Devices 1
1.1
Introduction 1
1.2
Depletion Region of a pn Junction 1
1.2.1 Depletion-RegionCapacitance 5
1.2.2 Junction Breakdown 6
1.3
Large-Signal Behavior of Bipolar Transistors 8
1.3.1 Large-Signal Models in the Forward-Active Region 9
1.3.2 Effects of Collector Voltage on Large-Signal Characteristics in the Forward-Active Region 14
1.3.3 Saturation and Inverse Active Regions 16
1.3.4 Transistor Breakdown Voltages 20
1.3.5 Dependence of Transistor Current Gain/3r on Operating Conditions 23
1.4
Small-Signal Models of Bipolar Transistors 26
1.4.1 Transconductance 27
1.4.2 Base-ChargingCapacitance 28
1.4.3 Input Resistance
……