GB∕T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
本标准规定了使用全反射X光荧光光谱，定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)，尤其适用于硅片清洗后自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围为10^9 atoms/cm^2~10^15 atoms/cm^2。本标准同样适用于其他半导体材料，如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。对良好的镜面抛光表面，可探测深度约5nm，分析深度随表面粗糙度的改善而增大。本方法可检测元素周期表中原子序数16(S）~92(U)的元素，尤其适用于测定以下元素:钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钻、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。

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